| 型号： | NTLGD3502NT1G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| NTLGD3502NT1G PDF |  |
| 产品变化通告 | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.3A，3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 60 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 480pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.74W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 | 6-DFN（3x3） |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | NTLGD3502NT1GOSCT |